![Samsung MZ-VAP2T0 2 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC [foto 1 de 2]](https://nn-computers.es/images-amigables/id20/samsung-mz-vap2t0-2-tb-m-2-pci-express-5-0-nvme-v-nand-tlc-mz-vap2t0bw-grande.jpg "Pica para ver las imágenes de Samsung MZ-VAP2T0 2 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC más grandes")
Samsung MZ-VAP2T0 2 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
375,77 €
IGIC incluido
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ANTES
389,93 €
DESCRIPCIÓN RÁPIDA
- 2 TB M.2 PCI Express 5.0
- Velocidad de lectura: 14700 MB/s 1850000 IOPS
- Velocidad de escritura: 13400 MB/s 2600000 IOPS
- V-NAND TLC NVMe
- Encriptación de hardware 256-bit AES
- Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM
- Componente para: PC/ordenador portátil
Samsung MZ-VAP2T0. SDD, capacidad: 2 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14700 MB/s, Velocidad de escritura: 13400 MB/s, Componente para: PC/ordenador portátil
CONDICION Nuevo y precintado
Modelo MZ-VAP2T0BW
EAN 8806095811710
Envío GRATIS en Canarias
Características técnicas
Marca: Samsung
Nombre de producto: MZ-VAP2T0
Código del producto: MZ-VAP2T0BW
Código EAN/UPC: 8806095811710
Especificaciones
Características
Algoritmos de seguridad soportados
Security algorithms are used to provide authentication
256-bit AES
SDD, capacidad
The Solid State Drive's data storage capacity.
2 TB
Factor de forma de disco SSD
The size of the solid-state drive, given in inches
M.2
Interfaz
Interface ports to connect pieces of equipment. USB (Universal Serial Bus) has become the most popular wired interface to connect peripherals. USB 2.0 supports speeds up to 480 Mbit/s (USB 1: 12 Mbit/s). The interface FireWire is also known as the IEEE 1394 standard. Enhanced IDE (EIDE)is sometimes referred to as Fast ATA
PCI Express 5.0
NVMe
NVM Express (NVMe) or Non-Volatile Memory Host Controller Interface Specification (NVMHCIS) is an open logical device interface specification for accessing non-volatile storage media attached via a PCI Express (PCIe) bus. NVM Express, as a logical device interface, has been designed to capitalize on the low latency and internal parallelism of solid-state storage devices.
Tipo de memoria
Type of memory in the device e.g. DDR3
V-NAND TLC
Componente para
What this product is used as a part of (component for).
PC/ordenador portátil
Encriptación de hardware
Velocidad de lectura
The speed at which a device can read data.
14700 MB/s
Velocidad de escritura
Write speed for type of media; expressed in bytes per second
13400 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)
1850000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)
2600000 IOPS
Soporte S.M.A.R.T.
Soporte TRIM
Características
Tiempo medio entre fallos
Statistical model used to indicate product/mechanism reliability; expressed in hours and percentage of duty cycle. This number (in hours) does not indicate the mean time before failure for a single unit/mechanism
1500000 h
Control de energía
Voltaje de operación
Defines the range of operating voltages available
3,3 V
Consumo eléctrico promedio (lectura)
8,1 W
Consumo eléctrico promedio (escritura)
7,9 W
Peso y dimensiones
Ancho
Medidas o extensión de lado a lado.
80,2 mm
Profundidad
La distancia desde el frente hasta atrás.
2,38 mm
Altura
Altura del producto.
22,1 mm
Peso
Peso del producto sin embalaje (peso neto). Si es posible, se da el peso neto incluyendo los accesorios y suministros estándar. Tenga en cuenta que a veces el fabricante deja de lado el peso de los accesorios y / o suministros.
9 g
Empaquetado
Tipo de embalaje
Tipo de embalaje del producto e. caja.
Caja
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa
The minimum and maximum temperatures at which the product can be safely operated.
0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento
Environmental requirements for optimal protection from impact in operating mode
1500 G
